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Produção de grafeno de alta qualidade.

Na eletrônica, o grafeno é considerado como o material mais promissor do Século 21. Até então, ele não podia ser produzido na forma de filme, senão em pequeníssimas quantidades ou com qualidade inferior, inutilizável para aplicações em alta tecnologia. Michael Horn-von-Hoegen, do Centro de Pesquisa para a Nanointegração (CeNIDE), da Universidade de Duisbourg-Essen (Renânia do Norte Westfália) e Wend (Países-Baixos), desenvolveu um procedimento, em uma só etapa, que permite produzir grafeno sem nenhum defeito.

O grafeno é um cristal bidimensional (monoplano), constituído por uma única camada de átomos de carbono, ordenados segundo uma estrutura hexagonal plana. Sobre esta superfície, os elétrons se deslocam a uma velocidade maior que qualquer outro material. No quadro da eletromobilidade, a condutividade elétrica excepcional do grafeno permitiria desenvolver baterias de altíssima performance. Além disso, em relação ao aço, uma folha de grafeno é seis vezes menos densa, duas vezes mais dura e treze vezes mais rígida à dobradura, daí seu potencial de aplicações futuras em materiais de construção leves.

O procedimento de obtenção do grafeno, publicado por Michael-von-Hoegen, é o seguinte: gás etileno passa sobre a superfície de um cristal de irídio. Uma camada de átomos de carbono, com a espessura de um só átomo de carbono, se deposita então sobre o irídio. Agora, é só recuperar a folha de grafeno assim obtida. A qualidade do grafeno foi verificada pela equipe de pesquisadores, utilizando a técnica de difração de elétrons de baixa energia em alta resolução (LEED).



Bonito mesmo de se ver! Não obstante, o padrão em forma de estrela indica defeitos no material. Em uma folha de grafeno perfeita seriam vistos apenas pontos brancos, sobre um fundo azul.

Créditos: AG Horn-von Hoegen.


De fato, a técnica LEED permite detectar defeitos eventuais, que aparecem, então, na folha de grafeno, sob forma de estruturas em estrela.


Nota do Scientific Editor: o trabalho que deu origem a esta nota, de título "Growth temperature dependent graphene alignment on Ir(111)", de autoria H. Hattab, A. T. N. Diaye, D. Wall, G. Jnawali, J. Coraux, C. Busse, R. van Gastel, B. Poelsema, T. Michely, F.-J. Meyer zu Heringdorf e M. Horn-von Hoegen, foi publicado no periódico Appl. Phys. Lett., vol. 98, 14190, 2011, DOI:10.1063/1.3548546.


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